一、基本情况

张勇辉，男，河北工业大学教授，博士生导师。主要从事第三代半导体光电器件模拟仿真设计及器件工艺制备研究，主要致力于AlGaN基DUV LED仿真技术和器件研制技术的开发,并助力推广TCAD的芯片设计及产业化应用。主持国家自然科学基金项目3项、省部级项目4项，参加“十三五”和“十四五”科技部重点研发计划子课题2项，为国家自然科学基金委评审专家；负责 DUV  LED 产学研项目，并构筑了多个 DV LED 光提取技术架构，开发了空腔型 DUV LED技术、自对准无边缘 p-GaN层技术、散射型全反射镜技术及 DUV LED 光学仿真技术，提高 DUV LED的发光效率，授权发明专利28项（完成转化4项）。已在Applied Physics Letters、Optics Express、Optics Letters、Journal of Applied Physics等国内外主流期刊以发表SCI文章120余篇，并被邀请为Advance Optical Materials, Optics Express, Applied physics Express 等期刊审稿人。

二、博导所属（含跨转）学科

1、电子科学与技术

研究方向一：宽禁带半导体光电器件

三、硕导所属（含跨转）学科、专业学位类别

1、电子科学与技术

研究方向一：宽禁带半导体光电器件

四、主持、参与的科研及教研项目情况（含获奖情况）

1. 国家自然科学基金面上项目，全覆盖混合介质层全反射镜的散射型深紫外Micro LED的研究，62275073，53万，2023.01-2026.12 （主持）

2. 国家自然科学基金面上项目，具有全反射n电极的空腔型倾斜侧壁深紫外LED的研究, 61975051,59万，2020.01-2023.12 （主持）.

3. 中国电子科技集团第十三所，976高功率激光器芯片设计，HI2429, 50万，2024.07-2027.07，(主持)

4. 河北省自然科学基金面上项目，主持，无边缘pGaN的空腔型倾斜侧壁深紫外LED的研究，F2020202030，10万，2020.01-2022.12（主持）.

5. 国家自然科学基金青年项目，主持，具有纳米球3D结构型微纳倾斜侧壁的深紫外LED的研究，61604051，20万，2017.01-2019.12（主持）.

6. 天津市自然科学基金青年项目，主持，用于GaN基LED的双层纳米结构图形化蓝宝石衬底研究，16JCQNJC01000，6万，2016.04-2019.03（主持）.

7. 河北省自然科学基金青年项目，主持，基于超薄圆台腔型蓝宝石纳米图形衬底的GaN-LED的研究，F2017202026，4万，2017.01-2019.12（主持）.

8. 中国博士后科学基金，主持，中空型倾斜侧壁深紫外 LED 的研究，第62批， 2017M621046, 5万（主持）.

9. 国家重点研发计划，参与，“第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术”子课题项目"固态紫外光源量子应变体系结构设计与机理研究"，2016YFB0400801，89万， 2016年7月-2021年6月（参与）

五、近年来发表代表性论文情况（仅限第一作者或通讯作者），主编或参编的教材、专著情况，获得专利情况等

1. 张勇辉；常乐；张紫辉，一种边缘无pGaN的深紫外半导体发光二极管及其制备方法，CN202011071064.2，授权。

2. 张勇辉；张沐垚；张紫辉, 一种深紫外半导体发光二极管外延结构，CN202011517916.6，授权

3. 张勇辉；邵华；张紫辉，一种深紫外发光二极管及其制备方法，CN202110135810.8，授权

4. 张勇辉，张紫辉，徐庶，耿翀，毕文刚，花中秋，一种深紫外半导体发光二极管及其制备方法，中国，CN201611009348.2，授权。

5. 张勇辉，毕文刚，张紫辉，徐庶，耿翀，具有双层微纳米结构阵列的图形化衬底的制作方法，中国，CN201510786400.4，授权。

6. 张勇辉，毕文刚，张紫辉，徐庶，耿翀，具有低折射率结构层的图形化衬底制作方法，中国，CN201510783423.X，授权。

7. 张勇辉，魏同波，王军喜，李晋闽，一种多功能组合型纳米图形制作方法，中国，201410658845.X，授权。

8. 张勇辉,张紫辉,毕文刚, 徐庶 ,耿翀,一种薄膜腔体型图形衬底及其制备方法,中国，CN201710315823.7，授权。

9. 张勇辉;张际;张紫辉;郑羽欣，一种具有光散射结构和ODR的发光二极管及其制备方法，CN201811586130.2，授权。

10. 张紫辉;张勇辉;毕文刚;徐庶;耿翀，一种氮化物发光二极管芯片的制备方法，CN201610257518.2，授权。

11. 张紫辉;张勇辉;毕文刚;徐庶;耿翀，具有电子能量调节层的发光二极管外延结构，CN201610257519.7，授权。

12. 张紫辉;张勇辉;毕文刚;徐庶;耿翀，一种LED的芯片结构及其制备方法，CN201610260335.6，授权。

13. 张紫辉;张勇辉;毕文刚;徐庶;耿翀，具有P-型欧姆接触层的发光二极管外延结构，CN201610257517.8，授权。

14. 张紫辉;张勇辉;毕文刚;徐庶;耿翀，具有空穴能量调节层的发光二极管外延结构，CN201610261242.5，授权。

15. 田康凯;楚春双;方梦倩;李路平;张勇辉;张紫辉，具有超晶格隧穿结的发光二极管外延结构及其制备方法，CN201710636642.4，授权。

16. 李路平;田康凯;楚春双;张勇辉;毕文刚;张紫辉，一种基于h-BN隧穿结为空穴注入层的发光二极管外延结构， CN201710636724.9，授权日：2019年07月09日。

六、联系人：张勇辉，  联系方式：zhangyh@hebut.edu.cn